Pokaż menu

Firmy z okładek

heidenhain SiemensSEW-EURODRIVE

Reklama

Współpraca

Obudowa nHPD2


Obudowa nHPD2


Nowa generacja obudów półprzewodnikowych nHPD2 od HITACHI została zaprojektowana z myślą o efektywnym wykorzystaniu zalet, jakie mają przynieść dla energoelektroniki elementy z węglika krzemu. Dzięki niskiej indukcyjności wewnętrznej oraz konstrukcji półmostka (także dla tranzystorów wysokonapięciowych) moduły półprzewodnikowe nHPD2 pozwalają na budowę kompaktowych przekształtników o wysokiej sprawności i niskim poziomie przepięć komutacyjnych. Koncepcja modułu podwójnego pozwala na redukcję gabarytów bloku mocy nawet do 75% na każdą fazę. Z kolei standaryzacja wymiarów obudowy zarówno dla modułów niskiego napięcia (LV), jak i wysokiego napięcia (HV) umożliwia standaryzację projektów technicznych związanych z mechaniką urządzenia. Powyższe zalety zapewniają redukcję kosztów początkowych w cyklu produkcyjnym oraz zwiększenie gęstości mocy urządzeń.

Obudowa nHPD2 to przyszłościowe rozwiązanie, które pozwala przenieść korzyści stosowania elementów o szerokim paśmie zabronionym (np. węglik krzemu) z poziomu struktury półprzewodnikowej na poziom urządzenia. W chwili obecnej dostępne są moduły nHPD2 hybrydowe SiC oraz moduły ze strukturami IGBT nowej generacji, dedykowanymi do stosowania z niskoindukcyjną obudową.

MARKEL Sp. z o.o.
www.markel.pl

 

Reklama